电多爆作者综述了枝晶在聚合物和无机电解质中的生长行为。

视只视(j)1μm脉冲宽度下可获得2×107的高耐久性。拼多图8. 钙钛矿基忆阻器的基本特性(a)AgCFs的形成与断裂图示。

款电(i-o)Ti3C2Tx薄片在原始状态和LRS下的XPS深度剖析图。电多爆(b,c)低电阻状态下该器件的STEM图像及EDS图。视只视6.NonlayeredTelluriumNanosheets:FacileLiquid‐PhaseExfoliation,Characterization,andPhotoresponsewithHighPerformanceandEnhancedStability.Adv.Funct.Mater.2018,28(16),1705833–1705844.https://doi.org/10.1002/adfm.201705833本文由 深海万里 编译整理。

【成果简介】近期，拼多河北大学闫小兵教授和深圳大学张晗教授（共同通讯作者）等人基于二维材料忆阻器的快速发展，拼多总结了二维材料在忆阻器中的应用及其物理开关机制，并对其存在的挑战和发展前景进行了讨论。款电图10. Ti/thinh-BN/Cu忆阻器的丝开关机制(a)BN器件的I-V曲线表明其具有双极RS。

张晗教授担任多个SCI期刊专题主编/编委、电多爆中国激光青年编委会秘书长、全国光学青年学术论坛第二届主席团副主席

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